Объем: 0.8 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SAS 4 (24G). Тип микросхем Flash: TLC. Скорость последовательного чтения: 4150 Мб/с. Скорость последовательной записи: 1450 Мб/с. Средняя скорость случайного чтения: 595 000 IOps
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с. Скорость последовательной записи: 540 Мб/с
Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с. Скорость последовательной записи: 540 Мб/с
Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с. Скорость последовательной записи: 450 Мб/с
Объем: 0.48 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (32-слойная 384-Гбит). Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с. Скорость последовательной записи: 530 Мб/с
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.3). Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 2.38 мм
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 50 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 50 000 IOps. Толщина: 7 мм
Объем: 0.8 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 520 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 156 000 IOps
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с. Скорость последовательной записи: 510 Мб/с. Средняя скорость случайного чтения: 90 000 IOps
Объем: 0.128 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с. Скорость последовательной записи: 420 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Дата выхода на рынок: 2019. Подсветка: нет
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 3.5 мм. Подсветка: нет
Объем: 0.12 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 500 Мб/с. Скорость последовательной записи: 500 Мб/с
Объем: 0.24 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 570 Мб/с. Скорость последовательной записи: 520 Мб/с
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с. Скорость последовательной записи: 520 Мб/с
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с. Скорость последовательной записи: 540 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 46 297 IOps. Средняя скорость случайной записи: 69 377 IOps
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Толщина: 7 мм. Контроллер: Silicon Motion SM2258
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1000000 ч. Толщина: 2.1 мм
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 570 Мб/с. Скорость последовательной записи: 540 Мб/с
Объем: 0.96 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 570 Мб/с. Скорость последовательной записи: 560 Мб/с
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 40 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 75 000 IOps
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм. Подсветка: нет
Объем: 0.96 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SAS 3. Тип микросхем Flash: TLC. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 14.8 мм. Подсветка: нет