Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 3200 Мб/с. Скорость последовательной записи: 3000 Мб/с

Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 500 Мб/с. Скорость последовательной записи: 490 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: есть. Скорость последовательного чтения: 7450 Мб/с. Скорость последовательной записи: 6900 Мб/с

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (NVMe 1.3). Аппаратное шифрование: есть. Скорость последовательного чтения: 7000 Мб/с. Скорость последовательной записи: 5000 Мб/с

Объем: 4 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND. Аппаратное шифрование: есть. Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с. Скорость последовательной записи: 530 Мб/с

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 50 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 50 000 IOps. Толщина: 7 мм

Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 40 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 50 000 IOps. Толщина: 7 мм

Объем: 4 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND. Аппаратное шифрование: есть. Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с. Скорость последовательной записи: 530 Мб/с

Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: есть. Скорость последовательного чтения: 7000 Мб/с. Скорость последовательной записи: 5100 Мб/с

Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: есть. Скорость последовательного чтения: 7450 Мб/с. Скорость последовательной записи: 6900 Мб/с

Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 460 Мб/с. Скорость последовательной записи: 430 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч

Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Дата выхода на рынок: 2019. Подсветка: нет

Объем: 0.48 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с. Скорость последовательной записи: 470 Мб/с

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: SLC. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 540 Мб/с. Скорость последовательной записи: 490 Мб/с

Объем: 0.128 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 1500 Мб/с. Скорость последовательной записи: 500 Мб/с

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: SATA 3.0 (NGFF). Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 570 Мб/с. Скорость последовательной записи: 540 Мб/с

Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 3400 Мб/с. Скорость последовательной записи: 3000 Мб/с

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 2.25 мм. Подсветка: нет

Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 5150 Мб/с. Скорость последовательной записи: 4850 Мб/с

Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет

Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe). Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 300 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 300 000 IOps

Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.3). Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с. Скорость последовательной записи: 2300 Мб/с

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 700 000 IOps

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с. Скорость последовательной записи: 540 Мб/с

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с. Скорость последовательной записи: 540 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч

Объем: 2 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 50 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 50 000 IOps. Толщина: 7 мм

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 2050 Мб/с. Скорость последовательной записи: 1790 Мб/с

Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 3000000 ч. Толщина: 8.7 мм. Подсветка: нет

Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 7 мм. Контроллер: Silicon Motion SM2258H

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 5150 Мб/с. Скорость последовательной записи: 4900 Мб/с

Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 2100 Мб/с. Скорость последовательной записи: 1650 Мб/с

Объем: 0.24 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: TLC. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 545 Мб/с. Энергопотребление (чтение/запись): 1.7 Вт

Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1000000 ч. Толщина: 3.5 мм

Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 530 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 750 000 IOps

Объем: 0.128 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 7 мм. Контроллер: Silicon Motion SM2258H

Объем: 0.24 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: есть. Скорость последовательного чтения: 555 Мб/с. Скорость последовательной записи: 275 Мб/с

Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (NVMe 1.3). Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с. Скорость последовательной записи: 2300 Мб/с

Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 570 Мб/с. Скорость последовательной записи: 450 Мб/с

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет

Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.3). Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 2.38 мм

Объем: 0.8 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SAS 4 (24G). Тип микросхем Flash: TLC. Скорость последовательного чтения: 4150 Мб/с. Скорость последовательной записи: 1450 Мб/с. Средняя скорость случайного чтения: 595 000 IOps

Объем: 1.92 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: есть. Скорость последовательного чтения: 555 Мб/с. Скорость последовательной записи: 525 Мб/с

Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм. Подсветка: нет

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1800000 ч. Толщина: 3.8 мм

Объем: 0.128 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 450 Мб/с. Скорость последовательной записи: 320 Мб/с

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 2100 Мб/с. Скорость последовательной записи: 1700 Мб/с

Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0). Аппаратное шифрование: нет. Толщина: 3.7 мм. Подсветка: нет. Размеры М.2: 2280

Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: TLC. Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с. Скорость последовательной записи: 480 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч

Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: SLC. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с. Скорость последовательной записи: 470 Мб/с