Артикул | MZ-V9P2T0BW |
Бренд | Samsung |
Общие характеристики | |
Объем | 2 |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0) |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Аппаратное шифрование | Да |
Скорость последовательного чтения | 7450 |
Скорость последовательной записи | 6900 |
Средняя скорость случайного чтения | 1 400 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 1 550 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 5.5 |
Энергопотребление (ожидание) | 0.055 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
Толщина | 2.3 |
Размеры М.2 | 2280 |
Ресурс записи | 1200 TBW |
Буфер обмена | 2048 |
Совместимость с PS5 | Да |