Артикул | MZ-V8V250BW |
Бренд | Samsung |
Общие характеристики | |
Объем | 0.250 |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4) |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Аппаратное шифрование | Да |
Скорость последовательного чтения | 2900 |
Скорость последовательной записи | 1300 |
Средняя скорость случайного чтения | 230 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 320 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 5.6 |
Энергопотребление (ожидание) | 0.045 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
Толщина | 2.38 |
Контроллер | Samsung Pablo |
Дата выхода на рынок | 2021 |
Размеры М.2 | 2280 |
Ресурс записи | 150 TBW |
Ширина в упаковке | 97 |
Высота в упаковке | 145 |
Глубина в упаковке | 21 |
Вес в упаковке | 80 |