Артикул | MZ-V8P1T0BW |
Бренд | Samsung |
Общие характеристики | |
Объем | 1 |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c) |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND (128-слоев) |
Аппаратное шифрование | Да |
Скорость последовательного чтения | 7000 |
Скорость последовательной записи | 5000 |
Средняя скорость случайного чтения | 1 000 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 1 000 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 6.2 |
Энергопотребление (ожидание) | 0.035 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
Толщина | 2.38 |
Контроллер | Samsung Elpis |
Дата выхода на рынок | 2020 |
Размеры М.2 | 2280 |
Ресурс записи | 600 TBW |
Буфер обмена | 1024 |