Артикул | MZ-V9E2T0BW |
Бренд | Samsung |
Общие характеристики | |
Объем | 2 |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0) |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Аппаратное шифрование | Да |
Средняя скорость случайного чтения | 700 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 800 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 5.5 |
Энергопотребление (ожидание) | 0.06 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
Толщина | 2.38 |
Контроллер | Samsung Piccolo |
Размеры М.2 | 2280 |
Ресурс записи | 1200 TBW |