Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 460 Мб/с. Скорость последовательной записи: 430 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 500 Мб/с. Скорость последовательной записи: 490 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Дата выхода на рынок: 2019. Подсветка: нет
Объем: 0.24 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с. Скорость последовательной записи: 430 Мб/с
Объем: 0.48 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с. Скорость последовательной записи: 470 Мб/с
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: SLC. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 540 Мб/с. Скорость последовательной записи: 490 Мб/с
Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: SLC. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с. Скорость последовательной записи: 470 Мб/с
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: TLC. Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с. Скорость последовательной записи: 480 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.3). Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч. Толщина: 3.5 мм
Объем: 0.24 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с. Скорость последовательной записи: 520 Мб/с
Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с. Скорость последовательной записи: 540 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.48 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с. Скорость последовательной записи: 470 Мб/с. Средняя скорость случайного чтения: 63 000 IOps
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: есть. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Подсветка: нет
Объем: 0.128 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 510 Мб/с. Скорость последовательной записи: 440 Мб/с. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с. Скорость последовательной записи: 475 Мб/с
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с. Скорость последовательной записи: 475 Мб/с
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 3.5 мм. Подсветка: нет
Объем: 1.92 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND. Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с. Скорость последовательной записи: 450 Мб/с. Средняя скорость случайного чтения: 40 000 IOps
Объем: 0.48 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND. Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с. Скорость последовательной записи: 450 Мб/с. Средняя скорость случайного чтения: 40 000 IOps
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с. Скорость последовательной записи: 450 Мб/с
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 535 Мб/с. Скорость последовательной записи: 450 Мб/с. Толщина: 7 мм
Объем: 0.48 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с. Скорость последовательной записи: 450 Мб/с. Толщина: 7 мм
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2 (2280). Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 490 Мб/с. Скорость последовательной записи: 540 Мб/с. Размеры М.2: 2280
Объем: 0.250 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 3.5 мм. Подсветка: нет