Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 3000000 ч. Толщина: 3.7 мм. Подсветка: нет
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 3000000 ч. Толщина: 8.7 мм. Подсветка: нет
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 530 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 750 000 IOps
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 93 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 400 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 530 000 IOps. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Объем: 0.12 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (32-слойная 384-Гбит). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1800000 ч. Толщина: 3.8 мм
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe). Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 300 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 300 000 IOps
Объем: 4 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 7 мм. Контроллер: Silicon Motion SM2258H
Объем: 4 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe). Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 3.5 мм
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 3.13 мм
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.4). Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 500 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 600 000 IOps
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 200 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 440 000 IOps. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 2.3 мм
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4). Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч. Толщина: 3.7 мм
Объем: 0.250 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 555 Мб/с. Скорость последовательной записи: 440 Мб/с. Средняя скорость случайного чтения: 80 000 IOps
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1800000 ч. Толщина: 3.8 мм
Объем: 0.96 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм. Подсветка: нет
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 3.13 мм
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 3.13 мм
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 3.13 мм