Объем: 0.24 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (32-слойная 384-Гбит). Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с. Скорость последовательной записи: 450 Мб/с
Объем: 4 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Контроллер: Phison PS5021-E21-48
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 3.13 мм. Подсветка: нет
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 3.13 мм. Подсветка: нет
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: SATA 3.0. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 2.1 мм. Подсветка: нет
Объем: 0.24 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с. Скорость последовательной записи: 420 Мб/с. Толщина: 7 мм
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Контроллер: Silicon Motion SM2269XT
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Толщина: 7 мм. Контроллер: Silicon Motion SM2258
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 3000000 ч. Толщина: 3.7 мм. Подсветка: нет
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 3000000 ч. Толщина: 3.7 мм. Подсветка: нет
Объем: 7.68 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Средняя скорость случайного чтения: 94 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 65 000 IOps. Энергопотребление (чтение/запись): 3.6 Вт
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: mSATA. Интерфейс: mSATA. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2 (NGFF). Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Толщина: 2.8 мм. Подсветка: нет
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 3000000 ч. Толщина: 3.7 мм. Подсветка: нет
Объем: 0.48 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 0.512 Тб. Форм-фактор: mSATA. Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 3.5 мм
Объем: 0.24 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Толщина: 3.5 мм. Подсветка: нет
Объем: 1.92 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 450 Мб/с. Скорость последовательной записи: 320 Мб/с
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 2.1 мм. Подсветка: нет
Объем: 0.96 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: MLC. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 540 Мб/с. Скорость последовательной записи: 520 Мб/с
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 3000000 ч. Толщина: 3.7 мм. Подсветка: нет
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 3000000 ч. Толщина: 8.7 мм. Подсветка: нет
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 530 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 750 000 IOps
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 93 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 400 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 530 000 IOps. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Объем: 0.12 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (32-слойная 384-Гбит). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe). Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 3000000 ч. Толщина: 3.7 мм. Подсветка: нет
Объем: 0.128 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 7 мм. Контроллер: Silicon Motion SM2258H
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Толщина: 7 мм. Контроллер: Silicon Motion SM2258H